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标题:Infineon(IR) IKD08N65ET6ARMA1功率半导体IKD08N65ET6ARMA1的技术与方案应用介绍 Infineon(IR)的IKD08N65ET6ARMA1功率半导体,是一款高性能的N-MOS功率器件,其出色的性能和可靠性在业界享有盛名。这款器件采用了Infineon(IR)独特的技术,具有出色的电气性能和温度稳定性,适用于各种不同的应用场景。 首先,IKD08N65ET6ARMA1采用了先进的封装技术,使得其具有更高的热导率和更低的热阻,从而在高温环境下仍能保持
三十余年来,国防和航空航天领域工作的行业客户一直依赖APEX Microtechnology 功率运算放大器、开关 (PWM) 放大器和精密电压基准来满足操作环境的严苛需求。APEX产品提供商业/工业级产品,部分型号同时提供非兼容的“M”级(高可靠性)或完全兼容“M/883”等级产品。 APEX产品按照具体工作温度范围分为四级:商业级、工业级、非兼容“M”级和 “M/883”兼容军用级。根据应用,如果工作环境不太严苛,商业级产品可能是适合的解决方案。持续扩展的 COTS 计划就是一个好例子。商
标题:IXYS艾赛斯IXYH80N90C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术的应用领域越来越广泛,对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。IXYS艾赛斯公司的IXYH80N90C3功率半导体IGBT,以其900V、165A、830W的强大性能,在诸多领域中发挥着重要作用。 首先,我们来了解一下IXYS IXYH80N90C3的特性。这款IGBT采用TO247封装,具有高耐压、大电流、高热耗等特点。其工作温度范围为-55℃至150℃,使其在各种恶劣环境下都能保持稳
标题:Infineon(IR) IKW75N65RH5XKSA1功率半导体器件的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IKW75N65RH5XKSA1功率半导体器件是一款高性能的N-MOS功率晶体管,采用了业界领先的技术和方案,适用于广泛的工业和商业应用领域。 首先,这款器件采用了Infineon(IR)自家研发的第七代超结技术,该技术以其高输入阻抗、低损耗和高效率等特点而闻名。这款器件的额定结温可达170℃,使得其在高温环境下也能保持出色的性能。此外,它还具有低静态电流和快速瞬态响应
标题:IXYS艾赛斯IXYH50N120C3功率半导体IGBT技术及方案应用介绍 一、技术简述 IXYS艾赛斯IXYH50N120C3功率半导体IGBT是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其工作电压高达1200V,电流容量为100A,最高结温可达到750W。这款功率半导体器件具有高输入阻抗、低导通压降、开关速度快等特点,适用于各种高电压、大电流的电源系统。 二、应用领域 1. 工业电源:IXYS IXYH50N120C3可广泛应用于工业电源领域,如风力发电、太阳能光伏发电等。其高速的
标题:Infineon(IR) IKW50N65SS5XKSA1功率半导体:创新技术及行业14应用的解决方案 在当今的电子设备中,功率半导体起着至关重要的作用。它们负责转换、调节和传输电力,从微小的芯片到巨大的工厂设施,无处不在。在这个领域中,Infineon Technologies(IR)的IKW50N65SS5XKSA1功率半导体尤其引人注目。 首先,让我们来了解一下这款功率半导体的基本信息。IKW50N65SS5XKSA1是一款高性能的N-MOS晶体管,它的电流承载能力高达50A,而额
标题:IXYS艾赛斯IXBA14N300HV功率半导体REVERSE CONDUCTING IGBT的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。IXYS艾赛斯公司的IXBA14N300HV功率半导体,一款具有反向导通能力的IGBT,凭借其卓越的性能和可靠性,在众多应用领域中发挥着关键作用。 首先,让我们了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型半导体,具有高低压两种类型,是当前应用最广泛的电力电子开关器件。IXBA14N300HV属于其
标题:Infineon(IR) IKQ50N120CH3XKSA1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、简介 Infineon(IR)的IKQ50N120CH3XKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT,其特点是工作电压低、工作频率高、损耗小、可靠性高等。这款IGBT适用于各种高频率、高效率的电源转换应用,如UPS、变频空调、风力发电、太阳能发电等。 二、技术特点 IKQ50N120CH3XKSA1具有1200V的额定电压和100A的额定电流,采用TO247-3-46封装,具有优良的热性
标题:IXYS艾赛斯IXBA16N170AHV功率半导体REVERSE CONDUCTING IGBT的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术也在不断进步,IXYS艾赛斯公司推出的IXBA16N170AHV功率半导体REVERSE CONDUCTING IGBT就是其中一颗璀璨的明星。这款产品在许多领域都有着广泛的应用,如电动汽车、风力发电、太阳能、工业电源等。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXBA16N170AHV功率半导体REVERSE CONDUCTING IGBT的
标题:Infineon(IR) IKQ50N120CT2XKSA1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IKQ50N120CT2XKSA1是一款出色的功率半导体IGBT,适用于各种高功率电子设备,如电源转换器、电机驱动器和开关电源等。这款IGBT具有1200V的电压耐压,额定电流高达100A,且工作频率高,适用于高频应用。 首先,关于IKQ50N120CT2XKSA1的特性,其核心优势在于其高电流密度和高热导率。这使得它在高温和高电压环境下仍能保持良好的性能,同时其