欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:NCE(新洁能)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > 功率

功率 相关话题

TOPIC

标题:IXYS艾赛斯IXBH20N300功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXBH20N300功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件,其特点是工作电压低、电流容量大、转换效率高,适用于各种电源和电机控制应用。 二、技术特点 IXBH20N300采用TO-247封装,具有以下技术特点: 1. 工作电压低:该器件的工作电压为300V,相较于传统的高压IGBT,其工作电压更低,因此可以降低功耗和发热量。 2. 电流容量大:该器件的额定电流达到50A,能够满足大部分电源和
标题:Infineon(IR) IKU04N60R功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IKU04N60R功率半导体IGBT是一种高效且可靠的N-Channel功率MOSFET器件,适用于各种工业和电源应用。该器件具有8A的额定电流和600V的额定电压,使其在许多高功率应用中表现出色。 首先,IKU04N60R IGBT的特点在于其高输入阻抗和快速开关特性。这些特性使得它在高频率和高压应用中表现出色,如电机驱动、UPS(不间断电源)和太阳能逆变器等。此外,其低导通电
标题:IXYS艾赛斯IXGX120N120A3功率半导体IGBT技术及方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术的应用领域越来越广泛,而功率半导体器件作为电力电子技术的核心,其性能和应用方式也日新月异。IXYS艾赛斯公司的IXGX120N120A3功率半导体IGBT,以其卓越的性能和出色的方案应用,成为了市场上的明星产品。 IXYS艾赛斯IXGX120N120A3功率半导体IGBT是一款具有1200V、240A、830W Plus247技术规格的器件。这款器件采用了IXYS艾赛斯公司独特的
标题:Infineon(IR) IKQB200N75CP2AKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在工业14领域的应用越来越广泛。作为全球领先的半导体公司之一,Infineon(IR)一直致力于研发创新型的功率半导体产品,其IKQB200N75CP2AKSA1功率半导体器件便是其中的佼佼者。本文将重点介绍Infineon(IR) IKQB200N75CP2AKSA1功率半导体器件的技术和方案应用。 一、技术特点 Infineon(IR) I
标题:IXYS艾赛斯IXXK300N60B3功率半导体IGBT 600V 550A 2300W TO264的技术和方案应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXXK300N60B3功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件,其工作电压为600V,最大电流为550A,总功率为2300W。TO264封装形式使得这款器件在散热和热管理方面具有显著优势。 二、工作原理 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种复合功率半导体器件,它结合了晶体管和二极管的特性
标题:Infineon(IR) AIMBG75R016M1HXTMA1功率半导体:AUTOMOTIVE_SICMOS技术的杰出应用与方案 在当今的电子设备市场中,功率半导体器件的地位日益凸显。Infineon(IR)的AIMBG75R016M1HXTMA1功率半导体,以其AUTOMOTIVE_SICMOS技术,成功地在市场上独树一帜。这款产品以其出色的性能、可靠性和创新性,为各种应用提供了解决方案。 AIMBG75R016M1HXTMA1是一款SICMOS技术的高效能功率半导体。SICMOS是
标题:IXYS艾赛斯IXYR100N120C3功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业中的地位日益重要。IXYS艾赛斯公司的IXYR100N120C3功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,成为了现代电力电子系统的重要组成部分。本文将详细介绍IXYS IXYR100N120C3功率半导体IGBT的技术和方案应用。 首先,让我们了解一下IXYS IXYR100N120C3功率半导体IGBT的基本参数。该器件是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
标题:Infineon(IR) IKY150N65EH7XKSA1功率半导体:技术与应用的前沿视角 在当今的电子工业中,功率半导体起着至关重要的作用。它们是电力转换和传输的核心,广泛应用于各种工业、交通和消费电子产品中。今天,我们将深入探讨Infineon(IR)的IKY150N65EH7XKSA1功率半导体,这款产品在业界14的技术和方案应用中具有显著的优势。 首先,IKY150N65EH7XKSA1是一款高性能的功率半导体,采用Infineon(IR)独特的技术,具有出色的效率和可靠性。其
工业生产电子设备的发展趋向是更小的线路板规格、更时尚潮流的外观设计和更具有成本效益。因为这种发展趋势,电子控制系统设计方案工作人员务必减少印刷线路板(PCB)的规格和成本费。应用当场程序控制器门阵列(FPGA)和片上系统软件(SoC)的工业生产系统软件必须好几个电源轨,另外遭遇小规格和成本低的挑戰。集成柔性功率器件能够为这类运用明显控制成本,减少解决方案规格。 集成柔性功率器件在同一封裝内包括好几个DC/DC转化器。这种DC/DC转化器能够是单独封裝中的降血压转化器、变压转化器和/或LDO的一
标题:IXYS艾赛斯IXGF32N170功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXGF32N170功率半导体IGBT,是一款技术先进、性能卓越的产品。该产品采用1700V、44A、200W I4PAC技术,具有出色的性能和可靠性,广泛应用于各种工业和电源设备中。 首先,让我们了解一下IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的基本概念和工作原理。IGBT是一种复合型功率半导体器件,具有较高的开关速度和功率密度,广泛应用于电力电子领域